產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布，他們開(kāi)發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN（氮化鎵）Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見(jiàn)方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。
本次研究中，產(chǎn)總研致力于研究通過(guò)中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術(shù)制作具有GaN納米結(jié)構(gòu)的LED；日本東北大學(xué)開(kāi)發(fā)了對(duì)半導(dǎo)體材料幾乎不會(huì)產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(shù)（Beam Etching）。兩家單位通過(guò)合作，共同開(kāi)發(fā)了GaN Micro LED。
該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術(shù)和傳統(tǒng)的ICP蝕刻（Etching）技術(shù)，分別制作了4種不同尺寸（40μm見(jiàn)方、20μm見(jiàn)方、10μm見(jiàn)方、6μm見(jiàn)方）的GaN Micro LED。
關(guān)于6μm的Micro LED，當(dāng)電流密度為5A/cm2時(shí)，比較了采用兩種技術(shù)后的發(fā)光效率。結(jié)果，利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術(shù)的5倍。
使用6μm的Micro LED，顯示屏的分辨率就會(huì)超過(guò)2000像素（Pixel）/英寸，那么就可以應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)（AR）、擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）的頭戴式顯示屏（Head Mount Display）等用途。（來(lái)源：eetimes.jp）
