1月8日，國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行，由南昌大學、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍色發(fā)光二極管項目”榮獲國家技術發(fā)明一等獎。項目主要完成人包括晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、南昌大學副校長江風益教授，晶能光電副總裁孫錢博士，晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO及晶和照明創(chuàng)始人王敏博士等人。

在半導體照明領域存在三條LED技術路線，分別是藍寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底LED技術路線。其中，前兩條技術路線分別是以日本和美國為主發(fā)展起來的，藍寶石襯底技術的三位主要發(fā)明人獲得了2014年度諾貝爾物理學獎;碳化硅襯底LED技術的發(fā)明人獲得了2003年美國總統(tǒng)技術發(fā)明獎。

據(jù)介紹，國家技術發(fā)明一等獎判定標準為：屬國內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術發(fā)明或創(chuàng)新，技術經(jīng)濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟或者社會效益。

硅襯底LED技術從南昌大學誕生，晶能光電投巨資持續(xù)研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，并經(jīng)晶和照明等眾多企業(yè)應用推廣，已經(jīng)從實驗室走向市場。此次硅襯底LED項目脫穎而出，成為2015年度唯一一個國家技術發(fā)明一等獎，這是國家層面對該技術創(chuàng)新和應用的高度肯定。

硅襯底具有良好的導熱性，且具有原材料成本低廉，晶圓尺寸大等優(yōu)點。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業(yè)界夢寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導致的外延膜龜裂、晶體質(zhì)量差，以及襯底不透明導致的出光效率低等問題長期未能解決，致使業(yè)界普遍認為，在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的。

以江風益教授為首的研發(fā)團隊率先攻克這些世界性難題，在南昌大學實驗室研發(fā)出具有原創(chuàng)知識產(chǎn)權的硅襯底LED技術。2006年，該技術獲得金沙江等知名創(chuàng)投的A輪投資，由江風益教授和王敏博士聯(lián)合創(chuàng)立晶能光電，專注于硅襯底LED技術的產(chǎn)業(yè)化。

歷經(jīng)十年艱苦，后又陸續(xù)獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資、國際金融公司(IFC)牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持;又在金沙江等投資人的共同努力下，引進趙漢民博士、孫錢博士等多名優(yōu)秀海歸共同奮斗，晶能光電率先于全球成功實現(xiàn)硅襯底LED技術大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

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