中國大陸LED業(yè)者紛紛搶在政府補助政策落幕前完成MOCVD機(jī)臺采購，其中，三安光電外延芯片MOCVD機(jī)臺數(shù)量已達(dá)到300臺，直逼晶電規(guī)模，由于第4季新機(jī)臺產(chǎn)能將陸續(xù)開出，恐導(dǎo)致全球LED芯片產(chǎn)能再增加8%，加劇整體產(chǎn)能過剩情況。

　　全球LED市場供需及兩岸產(chǎn)能變化概況

數(shù)據(jù)源：DIGITIMES整理

　 　不過，2015年以來三安光電面臨營收成長趨緩，毛利率持續(xù)下滑，顯示LED產(chǎn)業(yè)競爭激烈已對業(yè)者營運造成沖擊，盡管三安光電新購置40臺LED外延芯片MOCVD機(jī) 臺第3季已全數(shù)到位，但業(yè)界傳出三安光電決定放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，且受到大陸十三五規(guī)劃重點轉(zhuǎn)移影響，預(yù)計未來LED產(chǎn)能擴(kuò)張將更趨理性，有助于穩(wěn)定產(chǎn)業(yè)秩序。

　　晶電亦受到整體市場庫存升高影響，第3季以來持續(xù)調(diào)整產(chǎn)能，盡管傳出LED背光獲得急單挹注，但為避免傳統(tǒng)淡季LED晶粒售價跌幅擴(kuò)大，晶電維持約6成產(chǎn)能利用率水平。晶電第3季財報虧損，業(yè)界預(yù)估第4季恐難逃持續(xù)虧損命運，且2016年仍將陷入產(chǎn)能過剩困境。

　 　近期三安光電及晶電考量全球LED芯片供需失衡暫難獲得改善，不僅調(diào)整產(chǎn)能，亦陸續(xù)跨足新戰(zhàn)場，將LED核心技術(shù)延伸至包括砷化鎵、氮化鎵等三五族半導(dǎo)體。 其中，三安光電陸續(xù)攜手成都亞光、上海航天電子通訊設(shè)備研究所，且砷化鎵設(shè)備已安裝完備，11月將送樣給客戶驗證。由于三安光電獲得大陸國家IC產(chǎn)業(yè)投資 基金近人民幣50億元挹注，后續(xù)動向備受矚目。

　　至于晶電則積極投入氮化鎵LED功率元件市場，由于氮化鎵具有高壓、高頻及高功率等特 性，適用于集成型電源驅(qū)動器，可大幅縮減產(chǎn)品尺寸，并降低LED芯片照明制造成本，近期晶電已將氮化鎵元件送樣給國際LED照明大廠，2016年可望傳出接單 佳音，后續(xù)更將擴(kuò)大應(yīng)用至其它消費性電子變電器產(chǎn)品上。 

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