垂直結(jié)構(gòu)LED產(chǎn)品采用晶元鍵合技術(shù)工藝,將生長在不導(dǎo)電、不導(dǎo)熱襯底上的外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到導(dǎo)熱、導(dǎo)電性優(yōu)異的襯底上,再采用剝離技術(shù)工藝將外延結(jié)構(gòu)與生長襯底剝離,使得led器件的散熱問題得到解決,提高了器件的光電性能和可靠性, 而且垂直結(jié)構(gòu)LED可以在更高的電流密度下驅(qū)動,實現(xiàn)單位面積芯片發(fā)光強度的大幅提升,大大減低了產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用成本。
映瑞光電ER-CZ-1818系列垂直結(jié)構(gòu)LED的優(yōu)勢主要有以下幾點: 第一,在同等驅(qū)動電流密度條件下,和正裝LED芯片相比,垂直結(jié)構(gòu)LED芯片發(fā)光效率大幅度提升。如圖2測試數(shù)據(jù)所示, 垂直芯片ER-CZ-1818發(fā)光效率比正裝ER-ZZ-0920高15%。 第二,垂直結(jié)構(gòu)LED可采用更大的驅(qū)動電流密度。 比如ER-ZZ-0920的最大驅(qū)動電流密度為0.5A/mm^2, 而ER-CZ-1818最大驅(qū)動電流密度可達1.0 A/mm^2。在1 A/mm^2的大電流密度下,即使同時保持和ER-ZZ-0920在0.5A/mm^2電流密度條件下同等的光效,一顆ER-CZ-1818可以取代3-4顆ER-ZZ-0920,而其芯片面積只是ER-ZZ-0920的1.8倍,從而體現(xiàn)出映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的附加值。第三,垂直結(jié)構(gòu)芯片軸向光比較強,封裝時只需要打一根線,更適合COB的封裝和應(yīng)用。
映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818的綜合性能可與世界知名同類產(chǎn)品相媲美,在電壓、漏電、光效等方面優(yōu)于世界知名同類產(chǎn)品(見表1.)。此外,ER-CZ-1818產(chǎn)品采用藍寶石襯底剝離技術(shù),剝離后的藍寶石襯底可循環(huán)使用,降低芯片工藝制造成本,在性價比上有明顯優(yōu)勢。映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818芯片將于2014年第三季度開始投放市場,可以送樣品到客戶端進行驗證,歡迎合作!
圖1.ER-CZ-1818芯片 切割裂片后的ER-CZ-1818芯片
圖2.ER-CZ-1818芯片與ER-ZZ-0920芯片的性能對比
表1. ER-CZ-1818芯片與世界知名同類產(chǎn)品性能對比
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芯片面積(um) |
驅(qū)動電流 (mA) |
發(fā)光強度(mW) |
150mA下電壓(V) |
方向漏電流( uA) |
峰值電流(mA) |
ER-CZ-1818* |
380umx380um |
150 |
>190 |
3.0-3.9 |
<1 @-8V |
350 |
世界知名同類產(chǎn)品** |
380umx380um |
150 |
>90 |
3.1-4.1 |
<2 @-5V |
350 |
*封裝測試方法采用世界知名同類產(chǎn)品的封裝測試方法:鍍金TO39支架,裸芯封裝測試,測試采用杭州中為0.3米積分球。
**該技術(shù)參數(shù)選自世界知名同類產(chǎn)品規(guī)格書。