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映瑞光電推出垂直結(jié)構(gòu)芯片 在高端領(lǐng)域再下一程

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2014-08-21  來源:搜搜LED網(wǎng)  瀏覽次數(shù):617
核心提示:繼2014年5月份映瑞光電技術(shù)團隊推出倒裝結(jié)構(gòu)芯片后,于2014年6月30日又正式推出ER-CZ系列高質(zhì)量垂直結(jié)構(gòu)LED芯片, 目前試產(chǎn)產(chǎn)品為ER-CZ-1818。該產(chǎn)品已通過國家電光源質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心(上海)檢測,將在本季度推向市場。該產(chǎn)品的推出,更進一步體現(xiàn)了映瑞光電技術(shù)研發(fā)團隊的強大攻關(guān)和創(chuàng)新能力。
  繼2014年5月份映瑞光電技術(shù)團隊推出倒裝結(jié)構(gòu)芯片后,于2014年6月30日又正式推出ER-CZ系列高質(zhì)量垂直結(jié)構(gòu)LED芯片, 目前試產(chǎn)產(chǎn)品為ER-CZ-1818(如圖1所示),驅(qū)動電流為150mA, 功率為0.5W,屬于中功率器件。該產(chǎn)品已通過國家電光源質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心(上海)檢測,將在本季度推向市場。在第三四季度公司將根據(jù)市場需求,逐步推出1W、2W等大功率垂直結(jié)構(gòu)產(chǎn)品。該產(chǎn)品的推出,更進一步體現(xiàn)了映瑞光電技術(shù)研發(fā)團隊的強大攻關(guān)和創(chuàng)新能力。 

垂直結(jié)構(gòu)LED產(chǎn)品采用晶元鍵合技術(shù)工藝,將生長在不導(dǎo)電、不導(dǎo)熱襯底上的外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到導(dǎo)熱、導(dǎo)電性優(yōu)異的襯底上,再采用剝離技術(shù)工藝將外延結(jié)構(gòu)與生長襯底剝離,使得led器件的散熱問題得到解決,提高了器件的光電性能和可靠性, 而且垂直結(jié)構(gòu)LED可以在更高的電流密度下驅(qū)動,實現(xiàn)單位面積芯片發(fā)光強度的大幅提升,大大減低了產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用成本。  

映瑞光電ER-CZ-1818系列垂直結(jié)構(gòu)LED的優(yōu)勢主要有以下幾點: 第一,在同等驅(qū)動電流密度條件下,和正裝LED芯片相比,垂直結(jié)構(gòu)LED芯片發(fā)光效率大幅度提升。如圖2測試數(shù)據(jù)所示, 垂直芯片ER-CZ-1818發(fā)光效率比正裝ER-ZZ-0920高15%。 第二,垂直結(jié)構(gòu)LED可采用更大的驅(qū)動電流密度。 比如ER-ZZ-0920的最大驅(qū)動電流密度為0.5A/mm^2, 而ER-CZ-1818最大驅(qū)動電流密度可達1.0 A/mm^2。在1 A/mm^2的大電流密度下,即使同時保持和ER-ZZ-0920在0.5A/mm^2電流密度條件下同等的光效,一顆ER-CZ-1818可以取代3-4顆ER-ZZ-0920,而其芯片面積只是ER-ZZ-0920的1.8倍,從而體現(xiàn)出映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的附加值。第三,垂直結(jié)構(gòu)芯片軸向光比較強,封裝時只需要打一根線,更適合COB的封裝和應(yīng)用。

映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818的綜合性能可與世界知名同類產(chǎn)品相媲美,在電壓、漏電、光效等方面優(yōu)于世界知名同類產(chǎn)品(見表1.)。此外,ER-CZ-1818產(chǎn)品采用藍寶石襯底剝離技術(shù),剝離后的藍寶石襯底可循環(huán)使用,降低芯片工藝制造成本,在性價比上有明顯優(yōu)勢。映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818芯片將于2014年第三季度開始投放市場,可以送樣品到客戶端進行驗證,歡迎合作!

圖片1圖片2圖片3

圖1.ER-CZ-1818芯片                                                切割裂片后的ER-CZ-1818芯片
 

圖片4

圖2.ER-CZ-1818芯片與ER-ZZ-0920芯片的性能對比

表1. ER-CZ-1818芯片與世界知名同類產(chǎn)品性能對比

 

芯片面積(um)

驅(qū)動電流 (mA)

發(fā)光強度(mW)

150mA下電壓(V)

方向漏電流(

uA)

峰值電流(mA)

ER-CZ-1818*

380umx380um

150

>190

3.0-3.9

<1 @-8V

350

世界知名同類產(chǎn)品**

380umx380um

150

>90

3.1-4.1

<2 @-5V

350

*封裝測試方法采用世界知名同類產(chǎn)品的封裝測試方法:鍍金TO39支架,裸芯封裝測試,測試采用杭州中為0.3米積分球。

**該技術(shù)參數(shù)選自世界知名同類產(chǎn)品規(guī)格書。

 

 
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