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行業(yè)首發(fā):HKC 惠科宣布在MicroLED上的新突破

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2025-02-18  瀏覽次數:1633
核心提示:2 月 17 日消息,HKC 惠科宣布在高端顯示領域取得突破,成功完成全球首款硅基 GaN 單芯集成全彩 Micro LED 芯片(以下稱 SiMiP)在微間距 LED 大屏直顯領域的應用的研發(fā)。
 2 月 17 日消息,HKC 惠科宣布在高端顯示領域取得突破,成功完成全球首款硅基 GaN 單芯集成全彩 Micro LED 芯片(以下稱 SiMiP)在微間距 LED 大屏直顯領域的應用的研發(fā)。

該技術基于立琻半導體 SiMiP 芯片基礎上的共同研發(fā),提升了生產效率與顯示效果,宣稱推動我國在微間距 LED 大屏直顯技術進入“全球前列”。

據 HKC 惠科官方介紹,此次研發(fā)的 SiMiP 技術通過單芯集成紅綠藍三基色像元,簡化生產與修復工藝,該技術可“大幅提高微間距 LED 顯示模組生產的直通良率,顯著降低生產成本”。

該技術采用單芯片集成方案,無需復雜的巨量轉移和修復工藝,同時避免使用有毒材料;此外,紅綠藍三基色像元在發(fā)光波長、工作電壓及出光分布上具有高度一致性,從根本上解決了傳統(tǒng)方案的色偏問題。

近年來,惠科持續(xù)加碼Mini/Micro-LED技術研發(fā)與產能建設,累計投資超百億元,構建了從技術研發(fā)到規(guī)模化生產的完整生態(tài)鏈。此次SiMiP芯片技術的成功應用,進一步鞏固了惠科在高端顯示領域的技術領先地位。

來源:惠科

 
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