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海炬申請(qǐng)基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及應(yīng)用專利

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2024-12-16  瀏覽次數(shù):723
核心提示:通過(guò)流體場(chǎng)和磁場(chǎng)相結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)Mini/Micro LED芯片快速大批量精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移
 2024年12月12日消息,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,北京海炬科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及應(yīng)用”的專利,公開(kāi)號(hào)CN 119108176 A,申請(qǐng)日期為2024年9月。

專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及其應(yīng)用,涉及芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域,包括線圈支撐座、磁針固定底座、磁針支撐罩、電磁支撐罩,線圈支撐座的頂面中央設(shè)置有磁針容納槽,磁針固定底座設(shè)置于磁針容納槽內(nèi),磁針固定底座的的上方設(shè)置有鋁合金底層,磁針固定底座上設(shè)置有若干永磁磁針,永磁磁針的頂端向上穿過(guò)鋁合金底層,磁針容納槽的周圍設(shè)置有磁針支撐罩,磁針支撐罩的外圍設(shè)置有電磁支撐罩,磁針支撐罩與電磁支撐罩之間放置通電螺線圈。本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)和步驟的一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及其應(yīng)用,通過(guò)流體場(chǎng)和磁場(chǎng)相結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)Mini/Micro LED芯片快速大批量精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移。

本文源自:金融界

 
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