專利摘要顯示，本申請公開了一種垂直LED芯片結(jié)構(gòu)及制作方法，包括導(dǎo)電襯底；所述導(dǎo)電襯底下設(shè)有背面金屬層；所述導(dǎo)電襯底上設(shè)有鍵合金屬層；所述鍵合金屬層上設(shè)有反射鍵合金屬層；所述反射鍵合金屬層上有歐姆接觸金屬層；所述歐姆接觸金屬層上設(shè)有鈍化絕緣層；所述鈍化絕緣層上設(shè)有外延材料層；所述外延材料層上設(shè)有絕緣保護層；所述絕緣保護層上設(shè)有金屬手指及焊盤電極本申請利用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)和先進封裝技術(shù)，用micro LED芯片制作傳統(tǒng)尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊線過程中對芯片無損傷；同時垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，提高了生產(chǎn)效率，滿足了企業(yè)生產(chǎn)需求，提升了企業(yè)競爭力。

本文源自：金融界

作者：情報員