圖片來源：中微公司

項(xiàng)目進(jìn)展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設(shè)中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達(dá)到約45萬平方米。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，中微公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等領(lǐng)域均取得了突破。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，憑借刻蝕設(shè)備雙臺(tái)機(jī)技術(shù)，中微公司率先提出“皮米級(jí)”加工精度概念，其刻蝕精度已經(jīng)達(dá)到100“皮米”以下水平，相當(dāng)于頭發(fā)絲350萬分之一的精準(zhǔn)度，能夠滿足90%以上的刻蝕應(yīng)用需求。

半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，中微公司推出了Preforma Uniflex® CW、Preforma Uniflex® HW、Preforma Uniflex® AW等多款新產(chǎn)品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多款新產(chǎn)品，也會(huì)在近期投入市場(chǎng)驗(yàn)證。

在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，中微公司自推出第一代MOCVD設(shè)備PRISMO A7®以來，不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級(jí)迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域，中微公司的市場(chǎng)占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設(shè)備。