京東方：“一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置”專利，可提高光效

國家專利局消息顯示，北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司“一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置”專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117761825A。專利可提高AR顯示設(shè)備的光效。

圖片來源：國家專利局

專利信息顯示，本公開提供一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置，所述光波導(dǎo)器件包括：光波導(dǎo)板，及設(shè)于所述光波導(dǎo)板上的耦入光柵、反射元件和耦出光柵；其中，所述耦入光柵被配置為將入射光耦入至所述光波導(dǎo)板中，并在所述光波導(dǎo)板中形成衍射光線；所述反射元件被配置為接收來自所述光波導(dǎo)板中的所述衍射光線，并將所述衍射光線反射至所述耦出光柵；所述耦出光柵被配置為接收來自所述反射元件反射的衍射光線，并將所述衍射光線射出。本公開實施例提供的光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置，其是提供了一種AR增強現(xiàn)實顯示系統(tǒng)的新架構(gòu)，能夠提高光效。

據(jù)悉，京東方在AR/VR設(shè)備領(lǐng)域上，可提供Micro OLED顯示模組和Fast LCD模組，尺寸包含0.39英寸至5.5英寸，具有高分辨率，快速響應(yīng)，高刷新率等特點，可應(yīng)用于多種微顯示場景。另外，京東方的MLDE技術(shù)也可為VR/AR等領(lǐng)域顯示產(chǎn)品提供高品質(zhì)及高可靠性的 LED 背光產(chǎn)品。

此前，京東方發(fā)布了多款微顯示新品，包括全球首發(fā)的1.3英寸雙目4K Micro OLED顯示屏，像素密度達(dá)4000+PPI，亮度達(dá)5000nits。京東方還推出了超薄大視角的Si-OLED雙目光學(xué)系統(tǒng)，具有高亮度與顯示密度的同時，產(chǎn)品更加輕薄。

北京大學(xué)：申請Micro LED芯片專利，可降低制備復(fù)雜度

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請一項名為“一種基于無掩模二次外延的Micro-LED芯片陣列的制備方法“，公開號CN117766642A，申請日期為2023年12月。該專利可降低Micro LED制備工藝的復(fù)雜度。

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專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于無掩模二次外延的Micro LED芯片陣列的制備方法。本發(fā)明通過對GaN模板進行干法刻蝕，形成應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板，再在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板基礎(chǔ)上選區(qū)二次外延多量子阱等結(jié)構(gòu)，有效避免對多量子阱區(qū)域進行干法刻蝕，從而避免了多量子阱的側(cè)壁刻蝕損傷；應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板使得n型摻雜的GaN受到的應(yīng)力得到有效弛豫；在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板上生長的預(yù)應(yīng)力層，所受到的壓應(yīng)力得到部分弛豫，面內(nèi)晶格常數(shù)得到擴張，從而減小銦并入所需要的能量，增加多量子阱中銦的并入；在制備應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板中的刻蝕，使得只有GaN微米柱陣列的頂面為c面，作為生長面；選區(qū)二次外延生長，不需要額外的掩模，降低了Micro LED制備工藝的復(fù)雜度。