近日，成都辰顯光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱辰顯光電）在成都高新區(qū)成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基無(wú)邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片，由4個(gè)14.5英寸Micro-LED箱體拼接組成，像素間距為500微米，在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。
這款拼接屏采用了國(guó)內(nèi)首款Micro-LED專用驅(qū)動(dòng)IC，實(shí)現(xiàn)了10 bit色深和240 Hz高刷新率，并配合特有的De-Mura方案，顯著提升了顯示效果。
同時(shí)，辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)了600 nit亮度（支持HDR功能，最高可達(dá)1000 nit）。
此外，該拼接屏還取得了多項(xiàng)重要的技術(shù)突破：
1、國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的無(wú)限拼接
2、封裝反射率降低到5%以下
辰顯光電成功降低了IJP（Inkjet Printing）封裝的反射率，使其穩(wěn)定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一，其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰(zhàn)之一。通過技術(shù)團(tuán)隊(duì)的不懈努力，辰顯光電成功地克服了這一難題，確保Micro-LED顯示畫面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果，為用戶帶來(lái)更加清晰和逼真的視覺體驗(yàn)。
值得一提的是，辰顯光電還引入了自主開發(fā)的高速巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，將25微米LED芯片轉(zhuǎn)移良率提升至99.995%。同時(shí)，采用了LED后處理技術(shù)，確保了顯示色彩的一致性和鮮艷度。
為了推動(dòng)Micro-LED顯示技術(shù)在中國(guó)的發(fā)展，今年7月辰顯光電已經(jīng)與成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)正式簽署了Micro-LED顯示屏生產(chǎn)基地項(xiàng)目投資合作協(xié)議。這意味著全球首條TFT基Micro-LED顯示屏生產(chǎn)線即將在四川成都正式啟動(dòng)。據(jù)預(yù)測(cè)，辰顯光電的TFT基Micro-LED產(chǎn)品將在2024年進(jìn)入正式出貨階段。
這一突破性的進(jìn)展將為用戶帶來(lái)全新的驚喜，同時(shí)對(duì)整個(gè)顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動(dòng)作用。辰顯光電在Micro-LED技術(shù)領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，為中國(guó)顯示技術(shù)走向國(guó)際舞臺(tái)提供了強(qiáng)有力的支持。
同時(shí)，辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)了600 nit亮度（支持HDR功能，最高可達(dá)1000 nit）。
1、國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的無(wú)限拼接
辰顯光電成功降低了IJP（Inkjet Printing）封裝的反射率，使其穩(wěn)定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一，其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰(zhàn)之一。通過技術(shù)團(tuán)隊(duì)的不懈努力，辰顯光電成功地克服了這一難題，確保Micro-LED顯示畫面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果，為用戶帶來(lái)更加清晰和逼真的視覺體驗(yàn)。
