但是，目前量子點(diǎn)LED器件仍缺乏有效封裝設(shè)計(jì)，在色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及芯片集成方面仍普遍沿用傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)，因此，限制了器件發(fā)光效率與穩(wěn)定性的提升。
2023年7月5日，上海芯元基半導(dǎo)體采用化學(xué)剝離GaN技術(shù)，通過(guò)特殊設(shè)計(jì)的光學(xué)反射層及量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高良率、高效純紅光倒裝結(jié)構(gòu)和正裝結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)MiniLED芯片。該項(xiàng)重大技術(shù)的突破將有效降低紅光芯片的成本，提高產(chǎn)品的性價(jià)比，或?qū)⑷嫣崴倭孔狱c(diǎn)顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
倒裝結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)芯片技術(shù)方面，芯元基將剝離后的GaN芯片的出光面，用量子點(diǎn)膠水貼合到已經(jīng)加工好的特殊光學(xué)反射層基板上，該光學(xué)反射層，對(duì)激發(fā)光源的波長(zhǎng)具有高反射率，對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光的波段具有非常高的透光率，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)紅光量子點(diǎn)更好激發(fā)，實(shí)現(xiàn)了紅光量子點(diǎn)厚度小于１微米的情況下，量子點(diǎn)完全激發(fā)后，紅光芯片無(wú)漏藍(lán)光等現(xiàn)象。
量子點(diǎn)芯片加工過(guò)程中，芯元基采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制程，結(jié)合光罩對(duì)準(zhǔn)方法，在像素的側(cè)壁做有高密度的介質(zhì)層，實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)的完全密封，解決量子點(diǎn)在可靠度方面的顧慮。
產(chǎn)品的特性曲線如下：（芯片尺寸：2*4mil/50*100um）
特性曲線：
產(chǎn)品的發(fā)光情況及良率如下表：
表一：發(fā)光測(cè)試情況及良率：
后續(xù)，芯元基半導(dǎo)體將以此技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)與量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層相關(guān)顯示器件技術(shù)，以達(dá)到未來(lái)高分辨率顯示系統(tǒng)的實(shí)際需求�；谠摿孔狱c(diǎn)技術(shù)方案，芯元基半導(dǎo)體正在為國(guó)際知名機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)尺寸小于0.2mm*0.2mm的量子點(diǎn)MIP器件。
芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個(gè)子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外，也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問(wèn)題,在RGB量子點(diǎn)模板上（QDCC），采用特定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的光學(xué)反射鏡，實(shí)現(xiàn)紅光、綠光的高效激發(fā)。所有的制程均采用標(biāo)準(zhǔn)的晶圓加工工藝，不需要巨量轉(zhuǎn)移工藝，直接將晶圓芯片和QDCC模板鍵合，可更容易降低MIP的產(chǎn)業(yè)成本的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高可靠性的像素單元。（來(lái)源：芯元基）
