4月6日，華引芯發(fā)布了全新自研0.4英寸Micro LED模組。該模組集成了129600個像素點，最小芯片單元尺寸及像素間距為18μm，擁有480270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的對比度，適用于AR、汽車抬頭顯示（HUD）、智能光源顯示等領(lǐng)域。

華引芯介紹，相比采用約2萬顆Mini LED燈珠的高階Mini LED顯示模組，本次其推出的Micro LED模組擁有129600個可單獨驅(qū)動的像素點，實現(xiàn)了像素級控光效果，比Mini LED的分區(qū)背光控制更加直接和純粹。

華引芯指出，EQE是指發(fā)射到外部的光子數(shù)與流過結(jié)的載流子數(shù)目之比，EQE越大，LED發(fā)光效率越高。而解決Micro LED的發(fā)光效率問題，是實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的基礎(chǔ)。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比較嚴重的側(cè)壁效應(yīng)影響，各種側(cè)壁缺陷主要在蝕刻過程中出現(xiàn)，這些缺陷會導(dǎo)致非輻射復(fù)合。在低電流密度下，Micro LED的效率將非常低下。對此，華引芯認為可以通過優(yōu)化LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、改善工藝流程等來減少側(cè)壁效應(yīng)，從而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，華引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding轉(zhuǎn)移方案，并通過新型LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及改進工藝等方法提升了芯片的EQE，產(chǎn)品良率及性能得到顯著的提升。此外，華引芯從芯片到封裝再到模組的所有環(huán)節(jié)都是自主設(shè)計制造，有助于其提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性，進而幫助控制成本，有望推動Micro LED的量產(chǎn)進程。

不過，華引芯也提到，目前Micro LED技術(shù)仍然面臨一些技術(shù)壁壘，除了芯片效率、巨量轉(zhuǎn)移及全彩化之外，電源驅(qū)動、背板、檢測與修復(fù)技術(shù)等方面也還未達到量產(chǎn)的水平，因此，Micro LED的量產(chǎn)還需靠全產(chǎn)業(yè)鏈的共同推動。