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氮化鎵LED紅光外延片獲突破!Micro LED產(chǎn)業(yè)化加速

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-11-27  來源:Newelectronics  瀏覽次數(shù):1263
核心提示:近日,劍橋大學(xué)的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化鎵(GaN)生產(chǎn)技術(shù)的首款應(yīng)用于商業(yè)化Micro LED原生紅光LED外延片。

近日,劍橋大學(xué)的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化鎵(GaN)生產(chǎn)技術(shù)的首款應(yīng)用于商業(yè)化Micro LED原生紅光LED外延片。

 

傳統(tǒng)的紅光LED主要基于磷化鋁銦鎵(AlInGaP)材料。這意味著由于載流子擴(kuò)散長度大和表面重組速度高,隨著器件尺寸的減小,它們的效率會急劇下降。

 

而Porotech指出,其創(chuàng)新的生產(chǎn)工藝可以生產(chǎn)出新型的多孔GaN半導(dǎo)體材料。近日,該公司推出用于MicroLED應(yīng)用的商業(yè)化天然紅氮化銦鎵(InGaN)LED外延片。

 

Porotech首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人朱同彤博士說:“采用GaN基材料技術(shù)的Micro LED顯示器被廣泛認(rèn)為是僅有一種能夠提供足以滿足AR要求的亮度和效率的顯示器的技術(shù)。”“AR眼鏡有望有一天取代智能手機(jī),因此開發(fā)先進(jìn)材料以提高性能至關(guān)重要。

 

“在具有微米級像素的模塊中集成AlInGaP紅光和銦InGaN綠光和藍(lán)光LED顯示器極具挑戰(zhàn)性,因?yàn)锳lInGaP器件中的高表面重組速度使該材料不適用于高效的MicroLED。我們的突破擴(kuò)展了InGaN的發(fā)射范圍,使得紅光LED可以滿足顯示器的性能需求,同時具有縮放Micro LED半導(dǎo)體顯示技術(shù)所需的晶圓尺寸的能力。”

 

 

 

Porotech表示其產(chǎn)品符合現(xiàn)有的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和流程,其專有技術(shù)既強(qiáng)大又靈活,足以適應(yīng)不同應(yīng)用的需求。Porotech的原生InGaN Micro LED在10A/cm2處具有640nm的波長,在非常小的像素和間距下,與常規(guī)的AlInGaP和顏色轉(zhuǎn)換所得的紅光相比,性能得到了改善。

 

今年早些時候,Porotech獲得了由劍橋大學(xué)(Cambridge Enterprise),劍橋大學(xué)的商業(yè)化部門和IQ Capital Partners共同領(lǐng)導(dǎo)的150萬英鎊的種子輪投資,另外Martlet Capital以及來自Cambridge Angels和Cambridge Capital Group的天使投資者集團(tuán)也參與其中。

 
關(guān)鍵詞: Micro LED 氮化鎵
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