國家發(fā)改委官宣“新基建”的范圍，正式定調了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯網等七大領域的發(fā)展方向。以氮化鎵 (GaN) 和碳化硅(SiC) 為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料，LED作為氮化鎵 (GaN)材料最成熟的商業(yè)化應用，電力電子器件則為氮化鎵 (GaN)材料另一廣闊應用領域。受益于“新基建”對下游產業(yè)的大力扶持，在“新基建”與國產替代的加持下，國內半導體廠商將迎來巨大的發(fā)展機遇。

戰(zhàn)略轉型成果顯著定增發(fā)力高端產品

在創(chuàng)新驅動發(fā)展的格局下，年初以來，公司治理體系、產品結構等持續(xù)優(yōu)化，戰(zhàn)略轉型成果突出，這在華燦光電三季報的業(yè)績上也得以反映出來，今年第三季度公司業(yè)績成功扭虧為盈，其中，實現凈利潤563 。75萬元，同比大漲103.09%，實現營收7.43億，同比增加3.68%，前三季度公司共實現營收18.11億元。

為在未來的市場競爭中占據戰(zhàn)略制高點，持續(xù)保持行業(yè)競爭優(yōu)勢，公司踩準節(jié)奏理性有序擴張，擬定增募資15億元用于Mini/Micro LED的研發(fā)與制造項目及GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目。

公開資料顯示，華燦光電是最早進入Mini LED和Micro LED領域研究的廠商之一，公司的Mini LED產品具有光色一致性好、可焊性強、可靠性佳等優(yōu)點，獲得眾多主力終端顯示客戶的認可，目前已經大批量出貨，銷量持續(xù)上升；Micro LED目前在外延和芯片技術方面取得了較好的成果，產品在波長均勻性、表面缺陷密度等方面均取得突破性進展，未來伴隨巨量轉移技術的解決，必將大力推進Micro LED的商業(yè)化進程。此外，華燦光電GaN基電力電子器件將主要面向智能手機、汽車電子、數據中心等市場應用。

市場持續(xù)擴容 Mini /Micro LED蓄勢待發(fā)

據Trendforce預測，2024年全球Mini/Micro LED市場規(guī)模有望達到42億美元，與此同時，來自政策層面的利好同樣也在推動Mini/Micro LED的發(fā)展，預計到2022年，我國超高清視頻產業(yè)總體規(guī)模將超過4萬億元。Micro LED被認為是未來LED顯示技術發(fā)展新的風口，有可能決定未來幾十年顯示技術的競爭格局，此前蘋果、Facebook、三星等多家國際巨頭均已布局。與此同時，Micro LED市場景氣度較高，年初至今Micro LED指數較高上沖至1539.09點，較年內最低點漲幅60.29%。

華燦光電作為全球領先的LED芯片制造商，公司尤為重視高端LED產品的研發(fā)，目前已開發(fā)完成RGB Mini LED芯片、背光Mini LED芯片、超大電流密度白光LED芯片等專項，積累了一批核心技術。其中，公司開發(fā)出的Mini LED顯示/背光芯片產品從光效、耐電流沖擊能力到一致性和可靠性，都有大幅提升和優(yōu)化，廣泛應用于會議，影院，消費電子、車載顯示等領域。

公司此次定增募資的Mini/Micro LED研發(fā)與制造項目主要產品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等，該項目符合公司布局高端LED的長期發(fā)展戰(zhàn)略，將有助于公司繼續(xù)擴大在LED芯片領域的競爭優(yōu)勢、鞏固LED顯示屏芯片市場的領先地位。Mini LED RGB顯示技術作為小間距顯示屏的自然延伸，P1.1以下的顯示屏應用，Mini LED 為主流芯片方案，且未來隨著成本下降，Mini背光將大比例替代現有的LED背光，成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇。Micro LED的市場滲透率也將進一步提升，公司有望盡享市場紅利。

搶灘新高地構建GaN功率器件完整產業(yè)鏈

受國家政策層面利好，第三代半導體有望成為我國半導體產業(yè)的突圍先鋒，相關產業(yè)鏈上下游企業(yè)將充分受益。同時，人工智能、5G等產業(yè)的技術和應用發(fā)展持續(xù)向好，為以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體板塊提供了上漲支撐，年初至今，第三代半導體指數曾沖至3154.78較高點，較年初上漲84.93%。由此可見，無論政策還是資本市場無不傳達出第三代半導體行業(yè)蓬勃向上的信號，多家券商也給予第三代半導體行業(yè)“推薦”評級。

第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優(yōu)點，是我國“新基建”建設至關重要的技術支撐。據Omdia預測，全球SiC和GaN功率半導體銷售收入將由2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元，至2029年底或超50億美元，未來十年將保持年均兩位數增速。其中，GaN的物理性質與SiC類似，能隙、飽和電子速度、臨界擊穿電場均高于SiC，被產業(yè)和市場廣泛關注，且以GaN為核心的射頻半導體支撐著5G基站及工業(yè)互聯網系統(tǒng)的建設。

華燦光電緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，此次定增發(fā)力的GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目將建立GaN功率器件從設計開發(fā)、外延生長、芯片制造到晶圓測試的完整業(yè)務鏈，將產品開發(fā)、制造與市場需求緊密結合，通過更快的產品迭代和穩(wěn)定的良品率，以具有相當市場競爭力的性價比，快速推進GaN功率器件的大規(guī)模產業(yè)化。

此次定增完成后，華燦光電在LED芯片行業(yè)的龍頭地位將得以鞏固，同時公司將建立在GaN功率器件領域的國內領先地位，實現公司向高端綜合半導體制造商的戰(zhàn)略升級，全面提升公司的核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展能力。