一、概述

本公司自設(shè)立以來一直從事化合物光電半導(dǎo)體材料與電器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，堅(jiān)持自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)營銷的發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，打造中國高端制造的品牌。2012年，公司完成首次公開發(fā)行股票并成功在創(chuàng)業(yè)板上市，整體實(shí)力、資金實(shí)力及品牌效應(yīng)均得到顯著提高，利用上市募集的資金擴(kuò)大LED芯片及外延片產(chǎn)能，長期保持行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。2016年，公司成功并購云南藍(lán)晶科技，并入藍(lán)寶石單晶、外延襯底以及其他藍(lán)寶石窗口材料業(yè)務(wù)，向LED產(chǎn)業(yè)鏈上游拓展，實(shí)現(xiàn)自藍(lán)寶石材料至 LED 芯片垂直一體化的生產(chǎn)模式，增強(qiáng)業(yè)務(wù)多元化抗風(fēng)險(xiǎn)能力、穩(wěn)定原料來源、降低采購成本波動(dòng)率。

二、技術(shù)與研發(fā)情況

研發(fā)是企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力之一，公司持續(xù)加大產(chǎn)品研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，不斷研發(fā)新產(chǎn)品及提升產(chǎn)品性能。公司積極鼓勵(lì)員工進(jìn)行研發(fā)并申請(qǐng)專利，保證公司產(chǎn)品的創(chuàng)新性，建立健全知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理體系，保護(hù)公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)，避免產(chǎn)生專利侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于項(xiàng)目的研究開發(fā)，公司擁有了多項(xiàng)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)核心技術(shù)。截至 2019 年 12 月 31 日，公司擁有已授權(quán)專利 460 項(xiàng)，其中國際專利 51 項(xiàng)、國內(nèi)專利 409 項(xiàng)。在 LED 領(lǐng)域，公司從原材料、外延生長技術(shù)、芯片精細(xì)加工技術(shù)、產(chǎn)品、及未來的前瞻性技術(shù)等方面均進(jìn)行了全面的戰(zhàn)略部署。同時(shí)在新產(chǎn)品新應(yīng)用領(lǐng)域如 Mini LED 等同步加強(qiáng)了研發(fā)部署，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，包括研發(fā)經(jīng)費(fèi)的投入、及高端人才的引進(jìn)，保持 LED 新應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)力；在前瞻性技術(shù)及產(chǎn)品如 Micro LED 等方面，積極探索及開發(fā)，拓寬產(chǎn)品方向，在新的技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

三、前十大股東及持股情況

截至 2020 年 3 月 31 日，發(fā)行人前十大股東及持股情況如下表所示：

四、募集資金用途

本次非公開發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過 150,000.00 萬元，扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投入以下項(xiàng)目：

五、本次募集資金投資項(xiàng)目的基本情況

（一）Mini/Micro LED 的研發(fā)與制造項(xiàng)目

Mini/Micro LED 的研發(fā)與制造項(xiàng)目系公司為繼續(xù)擴(kuò)大在 LED 芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、鞏固 LED 顯示屏芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位而計(jì)劃實(shí)施的投產(chǎn)項(xiàng)目。

本項(xiàng)目以公司現(xiàn)有技術(shù)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn) Mini/Micro LED 的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化制造，進(jìn)而帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游各企業(yè)協(xié)同發(fā)展，深入布局下一代顯示技術(shù)。項(xiàng)目主要產(chǎn)品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等。本項(xiàng)目生產(chǎn)的Mini/Micro LED 產(chǎn)品具有微小像素尺寸、超高分辨率、廣色域和高對(duì)比度的特點(diǎn)，應(yīng)用后達(dá)到節(jié)約襯底材料、提高成像質(zhì)量、降低成本和功耗的目的，可作為新型背光源、顯示光源，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視、車用面板及電競(jìng)筆記本電腦等消費(fèi)電子領(lǐng)域，以及增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）微型投影裝置、車用平視顯示器（HUD）投影應(yīng)用、超大型顯示廣告牌等特殊顯示應(yīng)用產(chǎn)品，并有望擴(kuò)展到可穿戴/可植入器件、虛擬現(xiàn)實(shí)、光通信/光互聯(lián)、醫(yī)療探測(cè)、智能車燈、空間成像等多個(gè)領(lǐng)域。

本項(xiàng)目總投資額為139,267.22萬元，其中擬投入募投資金 120,000.00萬元。

本項(xiàng)目預(yù)計(jì)將幫助公司實(shí)現(xiàn)年均利潤總額25,282萬元，項(xiàng)目整體內(nèi)部收益率（稅后）為17.64%。

（二）GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目

第三代半導(dǎo)體材料主要包括 GaN、SiC 等，因其禁帶寬度≥2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，具有極強(qiáng)的戰(zhàn)略性和前瞻性，是支撐國防軍備、5G 移動(dòng)通信、新能源汽車、云計(jì)算等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)技術(shù)，在國防安全、節(jié)能減排、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)等方面具有重大戰(zhàn)略意義。

本項(xiàng)目建設(shè)期三年，計(jì)劃總投資額 31,641.58 萬元，其中擬投入募投資金30,000.00 萬元。本項(xiàng)目預(yù)計(jì)將幫助公司實(shí)現(xiàn)年均利潤總額 4,247 萬元。