中國統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國兩會各民主黨派提案選登”報道顯示，民進中央擬提交“關(guān)于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展的提案”。

近年來，國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點開花的良好形勢。

但提案注意到，當前從全球功率半導(dǎo)體市場看，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研 究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量是約3億多美金，硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量超過200億美金。

國際市場的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國際功率半導(dǎo)體行業(yè)認為，硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場應(yīng)用驗證，穩(wěn)定可靠，價格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應(yīng)用主流。

另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展，而我國碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距。可喜的是，在國家多項科研計劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距，并取得了不少成就。

根據(jù)提案，隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最 好突破口。為此，建議：

一、進一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān)，立項支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料 IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計及批量制造工藝技 術(shù)作為發(fā)展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢明顯，是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。

目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場應(yīng)用中實現(xiàn)彎道超車。

一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點。

二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來的應(yīng)用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題，在國際競爭中搶占先機。

三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。

三、謹慎支持收購國外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學會和掌握國際先進的功率半導(dǎo)體芯 片設(shè)計及制造工藝技術(shù)，同時海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險。