傳統(tǒng)方法是在元器件的活性區(qū)和p-氮化鎵層之間使用鋁氮化鎵電子束蝕刻（AlGaN EBL），但這個過程會形成一個高阻隔，對空穴注入過程產生不利影響。而NJIT提出的耦合量子阱方法可通過減少電子外溢來解決這個問題，電子外溢是導致效率下降的主要原因。

在該研究中，研究團隊考慮了三種不同的InGaN/GaN納米線LED結構，其中，耦合量子阱方案中，在n-氮化鎵層與活性區(qū)之間有一個控制電子外溢的InGaN阱，而為了利用從活動區(qū)溢出的電子，第二個InGaN阱就存在于活性區(qū)與p-氮化鎵層之間，以減少p-氮化鎵層的電子損耗，并提供藍光發(fā)射來相對控制LED器件的白光發(fā)射。

NJIT電子與計算機工程系的研究團隊表示，最終制成的無電子束蝕刻的納米線全彩和白光LED顯示出約58.5%的高內量子效率，無熒光粉白光發(fā)射非常穩(wěn)定，且效率幾乎沒有下降。

該團隊已在富氮條件下，使用射頻等離子輔助分子束外延（RF plasma-assisted MBE）法（Veeco Gen II MBE）在硅（111）襯底上生長InGaN/GaN納米線，并制備了表征器件。他們表示，最終制成的結構展示了出色的電流電壓特性，與傳統(tǒng)結構相比，新結構具備漏電流小、輸出功率高、外量子效率高等特點。

未來，研究團隊將致力于研究InGaN/GaN核殼納米線LED中耦合量子阱的集成，以提高載流子分布的均勻性，增強活動區(qū)的輻射復合。他們認為，

這將有助于制備高外量子效率及高光輸出功率的核殼LED器件，并希望此類納米線LED將應用到未來的Micro LED顯示器中。

據(jù)悉，該研究結果已于2020年1月發(fā)表在《光學快報》（Optics Express）期刊上。