據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，三安光電目前正在中國(guó)中部建設(shè)一個(gè)Mini/Micro LED研發(fā)基地，投資額為120億元人民幣(17億美元)。
消息人士表示，三安將在該研發(fā)基地展開(kāi)GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發(fā)。與此同時(shí)，三安還計(jì)劃在該基地建立161萬(wàn)個(gè)GaN Mini/Micro LED芯片、750,000個(gè)GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000個(gè)4K顯示器的年生產(chǎn)能力。GaN業(yè)務(wù)部門(mén)年產(chǎn)能將包括720,000個(gè)藍(lán)光Mini LED芯片、90,000個(gè)藍(lán)光Micro LED芯片、720,000個(gè)綠光Mini LED芯片和80,000個(gè)綠光Micro LED芯片，而GaAs業(yè)務(wù)部分年產(chǎn)能將包括660,000個(gè)紅光Mini LED芯片和90,000個(gè)紅光Micro LED芯片。
然而，消息人士指出，三安光電目前尚未透露何時(shí)開(kāi)始生產(chǎn)GaN和GaAs Micro LED芯片。
此外，三安光電已經(jīng)與三星電子合作，共同開(kāi)發(fā)Mini/Micro LED技術(shù)。
而總部位于中國(guó)臺(tái)灣的PlayNitride，則計(jì)劃在2019年8月底開(kāi)始試產(chǎn)多達(dá)3000片LED外延片，而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨(dú) 家供應(yīng)商。
