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如何采購亮度又高,發(fā)熱量又低的LED芯片?

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2019-04-25  瀏覽次數(shù):20005
核心提示:LED燈具無非解決兩個問題,一個是光,另外一個是熱,你看那龐大的研發(fā)部門無非就是研究怎樣提高LED的亮度和均勻度,并降低散熱成
   LED燈具無非解決兩個問題,一個是光,另外一個是熱,你看那龐大的研發(fā)部門無非就是研究怎樣提高LED的亮度和均勻度,并降低散熱成本。因此了解LED芯片的光熱分布情況對提高LED燈具質(zhì)量性能至關(guān)重要!然而由于缺乏相應(yīng)的檢測經(jīng)驗和設(shè)備,無論是芯片廠還是封裝燈具廠,都未對芯片光熱分布性能做相關(guān)的檢測,導(dǎo)致市場上出現(xiàn)大量光熱分布不均的芯片,而這些產(chǎn)品有相當(dāng)大的亮度提高和發(fā)熱量降低等性能提高的潛力。那如何采購又亮熱量又低的LED芯片呢?金鑒給出以下幾個建議:
       LED芯片光熱分布一定要均勻,不存在微觀區(qū)域過暗過熱的現(xiàn)象。用顯微光熱分布系統(tǒng)觀察到芯片微觀區(qū)域過暗過熱,很有可能此處電流擁擠,電能過多轉(zhuǎn)化為熱能而不是光能,量子效率低,表明此芯片的設(shè)計還存在改進的空間。比較在燈具使用溫度下芯片的亮度值和熱度值。LED光源的光熱性能受溫度的影響較大,溫度升高,芯片亮度降低發(fā)熱量增加,因此脫離實際工作溫度所測試的結(jié)果準(zhǔn)確性較差,甚至毫無意義。建議芯片廠LED規(guī)格書里添加不同使用溫度下的光熱分布數(shù)據(jù)!從源頭上管控質(zhì)量,做好光熱分布來料檢驗,可以使LED最亮,溫度最低,而成本最低,質(zhì)量更可靠。

 為什么來料LED芯片一定要做光熱分布測試

1. 目前市場上使用最多的水平結(jié)構(gòu)芯片,歐姆接觸電極在芯片的同一側(cè),電流不可避免的要橫向傳輸,電流密度會隨著電極距離的遠近而發(fā)生變化,即正負電極靠近的地方,電流密度會較大,使得電流密度不均勻已成為水平結(jié)構(gòu)LED固有的技術(shù)瓶頸。

2. 許多與LED芯片制造相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)問題尚未完全解決,特別是大功率LED芯片的設(shè)計、制造工藝中材料的選擇以及工藝參數(shù)等問題,使得電流密度均勻性存在較大的可優(yōu)化空間,各家芯片(無論是水平結(jié)構(gòu)還是垂直結(jié)構(gòu))在電流密度均勻性方面會存在較大的差異。

 3. 芯片內(nèi)部產(chǎn)生電流聚集效應(yīng),會導(dǎo)致LED芯片電注入效率下降、發(fā)光不均勻、局部熱量集中等不良現(xiàn)象,從而影響 LED芯片的性能及可靠性。通過光熱分布測試,能清晰觀察到芯片電流密度均勻性問題,更加全面的評估芯片質(zhì)量,有效辨別各家芯片質(zhì)量好壞。

 案例分析(一)不同家小尺寸芯片電流密度均勻性差異大

 以下為不同廠家11mil*30mil尺寸大小芯片光熱分布的對比。對于該小尺寸芯片,電流在芯片中橫向擴展的路徑較短,理論上電流聚集效應(yīng)較輕微。但是,不同廠家的工藝技術(shù)存在差別,芯片電流密度均勻性仍存在較大差異,甚至出現(xiàn)不同廠家芯片高低溫度相差數(shù)十度!從以下三家同尺寸芯片的光熱分布對比中可以看出:

 1. 芯片A發(fā)光最強,發(fā)熱量最小,光熱分布最均勻,說明該芯片電流密度均勻性好,量子效率高,應(yīng)用在高端LED中,該款芯片是首選。

 2. 芯片B和芯片C均為正極區(qū)域發(fā)光發(fā)熱弱,負極區(qū)域發(fā)光發(fā)熱強,推斷該兩款芯片為電流擴展不良導(dǎo)致的光熱分布不均。該兩款芯片量子效率低,存在局部高溫現(xiàn)象,性能和可靠性都不如芯片A。

 3. 不同廠家芯片微觀區(qū)域高低溫度可以相差數(shù)十度!

 通過對來料芯片進行光熱分布檢驗,可以清楚判斷芯片電流密度是否均勻,是否存在局部過熱,亮度和溫度孰高孰低,產(chǎn)品性能和可靠性孰優(yōu)孰劣,從而對芯片進行全面的評估,幫助客戶選擇最合適的芯片提供有力的數(shù)據(jù)支撐。

 

案例分析(二)有的芯片是正電極更熱,有的芯片是負電極更熱!

 以下為兩個廠家22mil*35mil尺寸大小芯片光熱分布的對比。對于該尺寸大功率正裝芯片,電流在芯片中橫向擴展的路徑較長,導(dǎo)致電流聚集效應(yīng)更加明顯,因此必須具備合理的電極圖形設(shè)計以及較好的歐姆接觸特性,才能使注入電流在LED芯片的有源層中均勻分布。目前許多與大功率 LED 芯片制造相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)問題還有待解決,各芯片廠家對于問題的解決能力有高有低,使得不同家芯片的性能存在巨大差異!從以下兩家同尺寸芯片的光熱分布對比中可以看出:

 1. 對比11*30mil芯片,該大尺寸大功率芯片電流密度均勻性相對較差,這也是目前大功率水平結(jié)構(gòu)LED芯片發(fā)展的技術(shù)瓶頸之一。

 2. 通過大量測試發(fā)現(xiàn),不同款的芯片,正負電極熱度不同,有的芯片是正電極更熱,有的芯片是負電極更熱,如下圖該兩款芯片。電極過熱會導(dǎo)致電極金屬出現(xiàn)熔融,歐姆接觸特性變差,降低芯片性能和可靠性。關(guān)于電極熱度,大家關(guān)注的并不多,也許芯片廠也沒做過那么細的研究。

 3. 本案例芯片A出現(xiàn)比較奇怪的現(xiàn)象:負電極更熱,但發(fā)光不強,而正極區(qū)域更亮,但溫度又不高。這表明此款芯片負電極附近量子效率低,電能在該處過多的轉(zhuǎn)化為了熱能,負電極歐姆接觸可靠性弱。

 目前大家大多關(guān)注的是LED芯片的整體性能,如亮度、結(jié)溫、電壓,對于芯片光熱分布、電流密度分布等方面關(guān)注過少,而失效往往是從局部薄弱處開始的,強烈建議LED芯片規(guī)格書里添加不同使用溫度下的光熱分布數(shù)據(jù)!做好光熱分布來料檢驗,可以使LED最亮,溫度最低,而成本最低,質(zhì)量更可靠。

                                                                                                                                                                                                   來源:金鑒實驗室


 
關(guān)鍵詞: LED芯片
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