SEMI近期更新了全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告，2015年包含新晶圓廠、二手晶圓廠與專屬測試廠（in-house）在內(nèi)的晶圓廠設(shè)備支出減少了2%，但今年在3D NAND Flash、10納米邏輯制程發(fā)展下，估計(jì)2016年整體晶圓廠支出將能達(dá)到360億美元，年成長約1.5%、2017年更可望進(jìn)一步來到407億美元，成長約13%。

SEMI報(bào)告指出，2016至2017年間，確定新建的晶圓廠就有19座，其中，12寸（300mm）晶圓廠就占了十二座，8寸（200mm）晶圓廠四座，6寸（150mm）以下的LED廠也有三座，不含LED廠，其他十六座8寸與12寸晶圓廠今年開始興建的廠房與生產(chǎn)線，以約當(dāng)12寸晶圓來看，裝機(jī)產(chǎn)能可達(dá)到平均每月21萬片，2017年始建的晶圓廠，以約當(dāng)12寸晶圓來看，裝機(jī)產(chǎn)能來到每月33萬片。

報(bào)告同時(shí)觀察到，當(dāng)半導(dǎo)體過渡到包含3D技術(shù)等尖端科技，現(xiàn)有晶圓廠的產(chǎn)能也正在降低，SEMI預(yù)測，將有更多老舊晶圓廠將進(jìn)行改建，更有甚者，新的晶圓廠以及新的產(chǎn)線也還會(huì)再增加。

而以中國臺(tái)灣而言，根據(jù)SEMI Taiwan先前預(yù)測，2015和2016年，臺(tái)灣前段晶圓廠整體投資預(yù)計(jì)將達(dá)120億美元。除了晶圓代工廠技術(shù)和產(chǎn)能投資的帶動(dòng)，2014年開始臺(tái)灣DRAM晶圓廠的支出同樣開始復(fù)蘇，并預(yù)期將維持成長至2016年。

（Source：SEMI Taiwan）