西班牙Graphenea公司2014年7月25日宣布，與日本立命館大學等共同實現(xiàn)了GaN結(jié)晶在硅(100)面上的生長。其要點在于用石墨烯作為中間層。;該技術(shù)的開發(fā)方為日本立命館大學理工學部電子光信息工學科荒木努和名西Yasushi的研究室、美國麻省理工學院(MIT)、韓國首爾大學(Seoul National University)、韓國東國大學(Dongguk University)及西班牙Graphenea公司。

在硅(100)面上直接生長缺陷少的GaN結(jié)晶時非常困難，幾乎沒有成功先例。以前在GaN-on-Si技術(shù)方面取得實用化進展的，主要是在硅(111)面上生長GaN結(jié)晶的技術(shù)。GaN-on-Si技術(shù)的一大優(yōu)勢是能夠沿用已有的硅半導體制造裝置，但大部分的半導體制造裝置均以硅(100)面為對象，從硅(111)面上的GaN-on-Si技術(shù)來看，其沿用范圍有限。

在此情況下，出現(xiàn)了在Si(100)面上形成中間層后，成功實現(xiàn)GaN結(jié)晶生長的案例。名古屋大學就是其中之一，該大學研究生院工學系研究科教授天野浩的研究室通過在硅(100)面上形成“某種金屬層”，然后再在該金屬層上成功實現(xiàn)了GaN結(jié)晶的生長。

此次Graphenea公司等在硅(100)面上首先形成石墨烯，然后在石墨烯上實現(xiàn)(0001)面的GaN結(jié)晶生長。詳細步驟如下。

首先以普通的化學氣相沉積法(CVD)在銅(Cu)箔上形成石墨烯。接著轉(zhuǎn)印到硅基板上。這時，通過蝕刻去除Cu箔。

然后，在該硅基板上的石墨烯上，以RF-MBE(Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy,射頻等離子體輔助分子束外延)法使GaN結(jié)晶生長。據(jù)Graphenea公司介紹，該RF-MBE法是立命館大學提供的技術(shù)，對具備高結(jié)晶性的GaN結(jié)晶生長起到了重要作用。

利用掃描型電子顯示鏡(SEM)及高分辨率X線衍射技術(shù)檢測生長出的GaN時，顯示GaN結(jié)晶具備6角形對稱稱，是沿c軸方向生長的。另外，粒徑要比無石墨烯時大。與藍寶石基板上生長的GaN結(jié)晶相比，盡管還存在配向均一性問題，但從硅(100)面上生長的GaN結(jié)晶來看，實現(xiàn)了最高品質(zhì)。